保護電路

集成塊U3以及其他通道相當的集成電路，都可能會(huì )由于過(guò)電壓而被損傷。因此，R1、D17、C17組成一籍位電路。任何一個(gè)元素輸入通道的電壓，超過(guò)6.2V時(shí)，將通過(guò)D17穩壓二極管而接地，對于第一個(gè)通道，D1將電容器連到籍位器上，板上其他通道，則利用D2直至D16連接到相同的各自籍位電路上。

積分電容充電過(guò)程

由光電倍增管PMT產(chǎn)生的光電流，通過(guò)P2-A6端經(jīng)由電阻RN]-1，向電容器C1充電，事實(shí)上，系統需要從c1上零電位啟動(dòng)。雖然PWT在預燃時(shí)間內也產(chǎn)生漏電流，但19的“A小、·B”模報開(kāi)關(guān)5w0|處閉合狀態(tài)，使光電流短路接地。U19的“A”開(kāi)關(guān)由P1-C6控制（D0位），U19的“B”開(kāi)關(guān)由P1-AC28控制（DIDCHAGE——放電控制），當處于“控制”階段時(shí)，U19的“A”、“B”開(kāi)路，此時(shí)可允許PMT光電流向電容C1充電。光電流可由以下各因素決定：（1）樣品中元素的含量；（2）PMT加速極電壓；（3)激發(fā)條件。

如增加曝光時(shí)間，會(huì )影響C1的充電，正如前面提到，如果C1電容器上充電過(guò)量，可能會(huì )損壞跟隨器。再如，送到測量板和A/D轉換器上的電壓超過(guò)5V時(shí)，也有損壞現象。為防止超過(guò)極限，在曝光時(shí)間內，每秒鐘對每個(gè)元素電容器采集25次。當電壓達到2.5V時(shí)（閥值電壓），測量板信號傳送給計算機讓存儲電容器即放電。

如果曝光繼續進(jìn)行，電容器再次被充電，一直重復此過(guò)程。因此，對某些高含量元素，在一個(gè)曝光周期，電容器可以放電數次。對含量非常低的元素，則可能達不到閥值電壓（2.5V）。積分電壓經(jīng)U27（Mux-16芯片）28端TRANSFER VOLT經(jīng)P2-AC22端加到MB板進(jìn)行A/D轉換。